可控硅管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极
层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三个电极,用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通同时具备两个条件:
(1〕受正向阳极电压;
(2)受正向门极电压。
(3)可控硅导通后,当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线,2.门极伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
主要参数编辑电流⒈ 额定通态电流(IT)即稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊ 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4,在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。可控硅从外形类主要有:螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
晶闸管的种类:
1、按关断、导通及控制方式分类:晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种;
2、按引脚和性分类:晶闸管按其引脚和性可分为二晶闸管、三晶闸管和四晶闸管;
3、按封装形式分类:晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种;
4、按电流容量分类:晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装;
5、按关断速度分类:晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和(快速)晶闸管。
晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个:阳,阴和门;晶闸管工作条件为:加正向电压且门有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管的注意事项:
1、在检查大功率器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使可靠地导通;
2、要准确测量的关断增益,有测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据;
逆导晶闸管亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳与阴之间反向并联一只二管,使阳与阴的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,快速晶闸管。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只即可代替晶闸管和续流二管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计;
逆导晶闸管的符号、等效电路,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。