CRRC二极管ZP9-2700-6充电设备售后保障

来源：上海聚肯电子科技有限公司 时间：2025-02-23 03:04:19 [举报]

可控硅特征
芯片与底板电气绝缘
2500V交流电压
国际标准封装
全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
350V以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块，既可选用风冷，也可选用水冷。
安装简单，使用维修方便
体积小，重量轻
真空+氢气保护焊接技术
典型应用
交直流电机控制
各种整流电源
工业加热控制
调光
无触点开关
电机软启动
静止无功补偿
电焊机
变频器
UPS电源
电池充放电
标准二极管模块
特点：
*JEDECTO-240AA国际标准封装
*直接铜敷Al2O3陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合UL认证，E148688
应用：
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
优势代理供应赛米控（西门康）SEMIKRON、欧派克（EUPEC）英飞凌（Infineon）IGBT可控硅模块、二极管模块。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。
我们的产品质量确保原装，假货，请放心购买，不像人家以次充好来忽悠广大客户。
应用范围：应用UPS、开关电源、变频器、逆变器、电动车辆、充电机、感应加热、轨道交通、电焊机以及新兴的风力发电、太阳能光伏发电、电动车、电机软起动、静止无功补偿等新能源行业等领域。

晶闸管损坏原因判断
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。
3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

晶闸管的种类？
1， 可关断型晶闸管 KG
普通型晶闸管，在控制极G加上正向触发信号普通型晶闸管导通后，控制极G就失去作用，要使普通型晶闸管关断，阳极A与阴极K的正向电压为零或加上负电压。而可关断型晶闸管只要在控制极G加上足够大且较宽的负向触发电流，就可以使晶闸管有效关断。
用途：一般使用在斩波调速、变频调速、逆变电源及直流控制电路中，如直流负载（继电器线圈、电磁阀、电磁离合器、直流电机）的电源通断、汽车点火器等。
2， 双向晶闸管 KS
普通型晶闸管，如果在阳极A与阴极K的加上负向电压，即使在控制极G加上正向触发信号，普通型晶闸管也不会导通。而双向晶闸管却能够导通。要使双向晶闸管关断，阳极A与阴极K的之间的电压为零。
用途：一般使用在交/直流控制电路中，如调压器；逆变器；交/直流负载开关等。
3， 逆导晶闸管KN（亦称反向导通晶闸管）
在某些应用场合（如逆变器、斩波器等）要求晶闸管阳极A与阴极K端并接反向二极管，而逆导晶闸管正是基于这个要求，在一个硅片材料上，将晶闸管与反向二极管集成在了一起。因而逆导晶闸管具有正向导通可控、反向自然导通且可通过大电流的不可控；具有耐高压、耐高温；关断时间短、通态电压低等优良性能等特点。
用途：一般用于开关电源；UPS不间断电源；高压、大功率负载上。如轨道交通的电源。
4， 快速晶闸管KK
由于在某些应用领域，要求晶闸管能够快速响应及通断功能，而快速晶闸管是在普通晶闸管制作基础上，改变了制作工艺，使得晶闸管在开通与关断时间上大幅缩短，开通时间为8μs左右；关断时间为50μs左右。主电路换向时间小于60ms，同时工作频率也提升至几千HZ。
用途：常用于UPS不间断电源；三相变频电源；中频电源；超声波电源；逆变器、斩波器；快速开关，脉宽调制器，多谐振荡器等
5，光控晶闸管
光控晶闸管是既可利用光源激发导通；也可象普通晶闸管由控制极G触发信号来导通的晶闸管，在结构上有两端（无控制极G）和三端之分。光控制是，其主电路与控制电路在电气上完全绝缘。

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

特性曲线
与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线（图）。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

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