南车晶闸管KP5-700-10工厂电气自动化

名称：平板式可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术：
可控硅又称晶间管，晶间管整流器具有耐压高、容量大、、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点，发展迅猛。在世纪应用中，大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅，其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式，虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热，但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点，其加工要求非常高，且封装时需要经过焊接在内的多道工序，工艺复杂，成本高，封装后良率偏低，返工需破坏性地拆封。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
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可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极：阳极、阴极和控制极。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅的特性：常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等；
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值；
2、 正向阻断峰值电压：在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值；
3、 反向阻断峰值电压：当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值；
4、 触发电压在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压；
5、 维持电流：在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

晶闸管的工作原理：
1、晶闸管具有单向导电性：正向导通条件：A、K间加正向电压，G、K间加触发信号；
2、晶闸管一旦导通，控制失去作用：若使其关断，降低UAK或加大回路电阻，把阳电流减小到维持电流以下；
晶闸管的结构：晶闸管由四层半导体材料构成，它有三个：阳，阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。