普拉动可控硅T673-1250-46矿山电气设备售后保障

可控硅的特性：常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等；
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值；
2、 正向阻断峰值电压：在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值；
3、 反向阻断峰值电压：当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值；
4、 触发电压在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压；
5、 维持电流：在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

晶闸管的种类：
1、按关断、导通及控制方式分类：晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种；
2、按引脚和性分类：晶闸管按其引脚和性可分为二晶闸管、三晶闸管和四晶闸管；
3、按封装形式分类：晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种；
4、按电流容量分类：晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装；
5、按关断速度分类：晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和（快速）晶闸管。

晶闸管的工作原理：
1、晶闸管具有单向导电性：正向导通条件：A、K间加正向电压，G、K间加触发信号；
2、晶闸管一旦导通，控制失去作用：若使其关断，降低UAK或加大回路电阻，把阳电流减小到维持电流以下；
晶闸管的结构：晶闸管由四层半导体材料构成，它有三个：阳，阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶闸管的过电压保护 ：
1、过电压：当加在晶闸管上的电压超过额定电压时称为过电压。
2、原因：电源变压器的一次侧断开或接通、直流侧感性负载的 切断、快速熔断器的熔断、突然跳闸等。
3、措施：
①、阻容保护 ：吸收回路作用：一旦电路中发生过电压，电容器被迅速充电，电容两端的电压不能突变，这就有效地抑制了过电压。阻容吸收回路可以并联在交流侧、直流侧或晶闸管侧；
②、非线性电阻保护：目前常用的非线性电阻是金属氧化物压敏电阻，它具有正反向相同的很陡的电压—电流特性；
电路正常工作时，压敏电阻不击穿，通过的漏电流很小。压敏电阻在遇到过电压时可通过高达数千安的放电电流，之后又恢复正常， 因此它抑制过电压的能力很强；
由于压敏电阻正反向特性对称，单相电路中只用一只压敏电阻，三相电路中用三只压敏电阻。

晶闸管的使用注意事项：选用晶闸管的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量；
1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值；
2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换；
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况；
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且所规定的冷却条件。为散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热；
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置；
6、要防止可控硅控制的正向过载和反向击穿。